一種同步整流MOSFET驅(qū)動(dòng)控制電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020941700.1 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN212231330U 公開(公告)日 2020-12-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN212231330U 申請(qǐng)公布日 2020-12-25
分類號(hào) H02M1/088(2006.01)I;H02M7/217(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 陸家珍;劉志業(yè) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 順科電氣技術(shù)(深圳)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 胡吉科
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道金花路安駿達(dá)倉儲(chǔ)大廈三樓D305
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種同步整流MOSFET驅(qū)動(dòng)控制電路,包括控制單元和MOS管Q2,所述控制單元包括信號(hào)采集及放大電路、阻容分壓濾波電路、驅(qū)動(dòng)電路,所述信號(hào)采集及放大電路的輸出端與所述阻容分壓濾波電路的輸入端連接,所述阻容分壓濾波電路的輸出端與所述驅(qū)動(dòng)電路的輸入端連接,所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與所述MOS管Q2的柵極連接。本實(shí)用新型的有益效果是:提高了MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷速度、減小導(dǎo)通延遲時(shí)間;提高M(jìn)OSFET驅(qū)動(dòng)電壓,降低了導(dǎo)通損耗,提高了電路效率。??