一種ORingMOSFET控制電路及電源并聯(lián)系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020938460.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212231329U | 公開（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212231329U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-25 |
| 分類號(hào) | H02M1/08(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 陸家珍;劉志業(yè) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 順科電氣技術(shù)（深圳）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 胡吉科 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道金花路安駿達(dá)倉儲(chǔ)大廈三樓D305 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種ORing MOSFET控制電路，包括控制單元和MOS管Q2，所述控制單元包括信號(hào)采集及放大電路、電阻分壓濾波電路和比較器電路，所述信號(hào)采集及放大電路的輸出端與所述電阻分壓濾波電路的輸入端連接，所述電阻分壓濾波電路的輸出端與所述比較器電路的輸入端連接，所述比較器電路的輸出端與所述MOS管Q2的柵極連接，所述MOS管Q2的源極接內(nèi)部電壓V_IN，所述MOS管Q2的漏極接外部電壓V_OUT。本實(shí)用新型的有益效果是：提高M(jìn)OSFET驅(qū)動(dòng)電壓，降低了導(dǎo)通損耗，提高了電路效率。?? |
