一種利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820348953.0 申請日 -
公開（公告）號 CN208167093U 公開（公告）日 2018-11-30
申請公布號 CN208167093U 申請公布日 2018-11-30
分類號 C23C16/32;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/455 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林培英;黃洪福;周玉燕;朱佰喜 申請（專利權(quán)）人 深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州市天河廬陽專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡濟元
地址 518054 廣東省深圳市南山區(qū)南山街道南山大道康樂大廈福海閣10F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設(shè)備，包括爐體、氣液輸送裝置、爐腔加熱裝置、工件放置裝置、真空抽氣裝置以及電氣控制系統(tǒng)，其中：所述氣液輸送裝置包括氣液混合預(yù)熱裝置以及進氣管網(wǎng)，所述進氣管網(wǎng)一端與氣液混合預(yù)熱裝置連接，另一端設(shè)有連接在爐體上；所述爐體的底部設(shè)有爐門，所述爐門與驅(qū)動該爐門做升降運動的爐門升降機構(gòu)連接；所述工件放置裝置包括工件托盤以及驅(qū)動工件托盤轉(zhuǎn)動的托盤驅(qū)動機構(gòu)，該工件放置裝置設(shè)置于爐門上；所述電氣控制系統(tǒng)包括控制器，該控制器分別與氣液輸送裝置、爐腔加熱裝置、爐門升降機構(gòu)以及托盤驅(qū)動機構(gòu)進行電連接。該碳化硅沉積處理設(shè)備能實現(xiàn)碳化硅薄膜的自動化大批量生產(chǎn)。