一種多孔硅薄膜的制備裝置及其制備多孔硅薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710828225.X 申請日 -
公開（公告）號 CN107644828A 公開（公告）日 2018-01-30
申請公布號 CN107644828A 申請公布日 2018-01-30
分類號 H01L21/677;H01L21/687;H01L21/3063;H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄔蘇東;蘆子玉;葉繼春;夏金才;張歡;楊熹;楊陣海 申請（專利權(quán)）人 寧波升日太陽能電源有限公司
代理機構(gòu) 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊秀芳
地址 315083 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市大道519號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種多孔硅薄膜的制備裝置及其制備多孔硅薄膜的方法，該制備裝置包括硅片安裝裝置、清洗腐蝕一體化槽體，所述的硅片安裝裝置包括硅片安裝槽、傳送帶、抽真空設(shè)備，所述的傳送帶裝載有若干個硅片安裝槽且配有可控制傳送帶行程的控制器，所述的硅片安裝槽之間通過連接裝置相互連接并接入傳送帶；所述的硅片安裝槽上部與抽真空設(shè)備連接，硅片安裝槽下部緊貼有硅片；所述的清洗腐蝕一體化槽體包括清洗槽、帶有若干個鉬電極的腐蝕槽；該制備多孔硅薄膜的方法包括傳送帶調(diào)控步驟、硅片安裝步驟、硅片清洗及腐蝕步驟、取樣步驟的四大步驟來完成多孔硅薄膜的制作；本發(fā)明具有批量生產(chǎn)、自動化控制的優(yōu)點。