一種硅基InGaAs溝道雙柵MOSFET器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711034834.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107833923A 公開（公告）日 2018-03-23
申請公布號 CN107833923A 申請公布日 2018-03-23
分類號 H01L29/78;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李海鷗;王博;鄒鋒;劉洪剛;高喜;李琦;蔣振榮;張法碧;陳永和;肖功利;李躍 申請（專利權(quán)）人 桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京中濟緯天專利代理有限公司 代理人 桂林電子科技大學(xué);桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司
地址 541004 廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)金雞路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種能夠提高柵控能力以及減小短溝道效應(yīng)的硅基InGaAs溝道雙柵MOSFET器件及其制備方法。所述硅基InGaAs溝道雙柵MOSFET器件包括單晶硅襯底、介質(zhì)鍵合層、隔離層、背柵電極、背柵介質(zhì)層、背柵界面控制層、InGaAs溝道層、上界面控制層、III?V族半導(dǎo)體源漏層、源漏金屬層、頂柵介質(zhì)層、頂柵電極；該制備方法包括步驟，首先在單晶硅襯底上設(shè)置第一鍵合片；然后在III?V族半導(dǎo)體外延襯底上依次沉積背柵介質(zhì)層的材料層、背柵電極的材料層、在隔離層、第二鍵合片；將第一鍵合片和所述第二鍵合片鍵合在一起，形成介質(zhì)鍵合層；然后再成形、源漏金屬層、頂柵介質(zhì)層、頂柵電極。采用該硅基InGaAs溝道雙柵MOSFET器件及其制備方法能夠提高MOSFET器件的柵控能力，滿足高性能III?V族CMOS技術(shù)要求。