半導(dǎo)體芯片的共晶焊接方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201511021788.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105489515B 公開（公告）日 2019-01-11
申請公布號 CN105489515B 申請公布日 2019-01-11
分類號 H01L21/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王常毅;李勇昌;鄒鋒;蔣振榮;鄒波 申請（專利權(quán)）人 桂林斯壯微電子有限責任公司
代理機構(gòu) 桂林市持衡專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 桂林斯壯微電子有限責任公司
地址 541004 廣西壯族自治區(qū)桂林市國家高新區(qū)信息產(chǎn)業(yè)園D-8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體芯片的共晶焊接方法，在芯片硅襯底背面蒸鍍金屬層，在一定溫度下，使金屬層與框架表面受壓接觸，在接觸面發(fā)生鍵合形成共晶，實現(xiàn)共晶焊接，在半導(dǎo)體芯片硅襯底背面自里向外依次蒸鍍W、Al、Ni、Cu，形成四層結(jié)構(gòu)的金屬層，其中W層厚度為Al層厚度為Ni層的厚度為Cu層的厚度為1.1～1.2μm，Cu層與框架表面的鍍層形成共晶。本發(fā)明不需鍍金或鍍銀，大大節(jié)約了生產(chǎn)成本，且提高了封裝產(chǎn)品熱導(dǎo)率，增長產(chǎn)品使用壽命。