半導(dǎo)體集成晶體管封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021115075.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212322989U | 公開（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申請公布號 | CN212322989U | 申請公布日 | 2021-01-08 |
| 分類號 | H01L23/495(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李勇昌;彭順剛;鄒鋒;朱金華;王常毅 | 申請（專利權(quán)）人 | 桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司 |
| 代理機構(gòu) | 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司 |
| 地址 | 541004廣西壯族自治區(qū)桂林市國家高新區(qū)信息產(chǎn)業(yè)園D-8號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種半導(dǎo)體集成晶體管封裝結(jié)構(gòu)，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相對扣壓所形成的塑封體，所述塑封體上開設(shè)有供半導(dǎo)體集成晶體管的引腳引出的引腳孔，所述塑封體的前、后長度為2.9毫米，左、右寬度為1.65毫米，上、下高度為0.9毫米；一個居中引腳孔和兩個前、后引腳孔分別于塑封體上左、右開設(shè)，六個引腳孔分別于塑封體上左、右對稱開設(shè)，引腳孔的開設(shè)位置距離塑封體底部的高度為塑封體高度的1/3。本實用新型從外部尺寸上對封裝結(jié)構(gòu)進行了改進，既能夠提高產(chǎn)品的寬度及表面積以確保產(chǎn)品在功耗方面的優(yōu)勢，又能夠減少產(chǎn)品特別是接觸PCB面板的厚度來提高產(chǎn)品的散熱效率和耗散功率。?? |
