一種硅基InGaAs溝道雙柵MOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721428381.9 申請日 -
公開（公告）號 CN207441705U 公開（公告）日 2018-06-01
申請公布號 CN207441705U 申請公布日 2018-06-01
分類號 H01L29/78;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李海鷗;王博;鄒鋒;劉洪剛;高喜;李琦;蔣振榮;張法碧;陳永和;肖功利;李躍 申請（專利權）人 桂林斯壯微電子有限責任公司
代理機構 北京中濟緯天專利代理有限公司 代理人 桂林電子科技大學;桂林斯壯微電子有限責任公司
地址 541004 廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)金雞路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種能夠提高柵控能力以及減小短溝道效應的硅基InGaAs溝道雙柵MOSFET器件。所述硅基InGaAs溝道雙柵MOSFET器件包括單晶硅襯底、介質鍵合層、隔離層、背柵電極、背柵介質層、背柵界面控制層、InGaAs溝道層、上界面控制層、III?V族半導體源漏層、源漏金屬層、頂柵介質層、頂柵電極；采用該硅基InGaAs溝道雙柵MOSFET器件能夠提高MOSFET器件的柵控能力，滿足高性能III?V族CMOS技術要求。