一種半導(dǎo)體激光器芯片的合束方法及合束裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011032905.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112164975B 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN112164975B 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01S5/00;G02B6/42 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李青民;李波;任占強(qiáng);孫翔;南瑤 申請（專利權(quán)）人 西安立芯光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 鄭麗紅
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號2號樓1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光器芯片的合束方法及合束裝置，目的是解決現(xiàn)有激光器合束方式存在合束激光能量低以及功率光束質(zhì)量比低的問題。該半導(dǎo)體激光器芯片的合束方法包括：步驟一、在光纖包層表面制作衍射結(jié)構(gòu)，同時在光纖一端制作全反射膜；步驟二、將多個半導(dǎo)體激光器芯片設(shè)置在光纖包層外側(cè)；步驟三、半導(dǎo)體激光器芯片發(fā)出的光經(jīng)布滿衍射結(jié)構(gòu)的光纖包層進(jìn)入光纖纖芯，最終從光纖另一端輸出，從而實(shí)現(xiàn)激光合束。