一種半導體激光合束技術

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010728798.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111929778A 公開（公告）日 2020-11-13
申請公布號 CN111929778A 申請公布日 2020-11-13
分類號 G02B6/42;H01S5/00 分類 光學;
發(fā)明人 南瑤;李波;賈偉洋;李青民;孫翔;李喜榮;李偉 申請（專利權）人 西安立芯光電科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號2號樓1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體激光合束技術，在裸光纖的側壁上，垂直于光纖光軸刻蝕與激光波長相當寬度的衍射光柵，裸光纖縱向放置于全反射槽內構成光纖耦合器，半導體激光器的快軸與裸光纖光軸同向，激光經衍射光柵耦合到裸光纖纖芯，從裸光纖的兩端輸出，若干個光纖耦合器首尾熔接構成光纖耦合鏈，若干個光纖耦合鏈并列且間隔與半導體激光器巴條上發(fā)光點間隔相等，半導體激光巴條疊陣的發(fā)光點對準光纖耦合器，所有光纖耦合鏈長度相等且所有輸出端與一根光纖熔接，從一根光纖輸出合束激光經準直獲得高功率光束質量比的激光光束，大數量半導體激光器輸出激光合束獲得高功率光束質量比的激光光束。