一種判斷半導體激光器芯片光學災變類型的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010783751.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111934186A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN111934186A 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01S5/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任占強;李波;李青民;王寶超;李喜榮;仇伯倉 申請（專利權）人 西安立芯光電科技有限公司
代理機構 西安智邦專利商標代理有限公司 代理人 鄭麗紅
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號2號樓1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種判斷半導體激光器芯片光學災變類型的方法，解決現(xiàn)有半導體激光器芯片COBD和COMD的判斷成本較高、判斷時間較長、生產(chǎn)效率較低的問題。該方法包括：步驟一、設置加載電流；步驟二、將加載電流加載在半導體激光器芯片上；步驟三、采集半導體激光器芯片的電流?功率曲線、電流?電壓曲線；步驟四、若電流?功率曲線突然下降，同時，電流?電壓曲線突然上升，則判斷芯片的光學災變?yōu)镃OMD；若電流?功率曲線突然下降，同時，電流?電壓曲線突然下降，則判斷芯片的光學災變?yōu)镃OBD。本發(fā)明方法無需專業(yè)設備，只需采集測試過程中的電流、功率值和電壓值，即可進行COBD和COMD的判斷，檢測設備簡單、成本較低，只需普通技術人員即可實現(xiàn)失效的判斷。