高過載背壓式絕壓傳感器模塊及其制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310642617.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103674397B 公開（公告）日 2016-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN103674397B 申請(qǐng)公布日 2016-04-20
分類號(hào) G01L9/02(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 沈紹群;羅小勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海旦宇傳感器科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 新會(huì)康宇測(cè)控儀器儀表工程有限公司;上海旦宇傳感器科技有限公司;廣東和宇傳感器有限公司
地址 529100 廣東省江門市新會(huì)區(qū)會(huì)城西門路圭峰高科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了高過載背壓式絕壓傳感器模塊，包括蓋板、硅芯片以及金屬基座，硅芯片上設(shè)置有硅彈性膜區(qū)，蓋板與硅芯片的正面密封連接，蓋板上設(shè)置有背腔形成絕壓真空腔，所述硅彈性膜區(qū)位于該絕壓真空腔中，絕壓真空腔內(nèi)的鋁引線與腔外的鋁熱壓腳電連接，硅芯片背面與金屬基座連接，金屬基座上設(shè)置有容置外部被測(cè)介質(zhì)的通道，硅芯片的背面對(duì)應(yīng)通道設(shè)置有背腔區(qū)，背腔區(qū)與所述硅彈性膜區(qū)對(duì)應(yīng)，所述背腔內(nèi)朝向硅芯片的正面延伸出有限位島，該限位島與所述硅芯片的硅彈性膜區(qū)之間存在限位間隙，實(shí)現(xiàn)了背壓式絕壓傳感器的高過載性能，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，過載能力大，實(shí)施成本低廉，很好的適應(yīng)了國內(nèi)外對(duì)壓敏傳感器的需求。