一種單片硅基微壓傳感器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810222541.7 申請日 -
公開（公告）號 CN108458820A 公開（公告）日 2018-08-28
申請公布號 CN108458820A 申請公布日 2018-08-28
分類號 G01L1/22 分類 測量；測試;
發(fā)明人 沈紹群;羅小勇;阮炳權(quán) 申請（專利權(quán)）人 上海旦宇傳感器科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 廣東和宇傳感器有限公司;上海旦宇傳感器科技有限公司
地址 529100 廣東省江門市新會區(qū)會城西門路圭峰高科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單片硅基微壓傳感器及其制作方法，通過在硅基片之中的腐蝕坑之中，制作背島結(jié)構(gòu)，而在背島結(jié)構(gòu)之中，包括有用于穩(wěn)定測量的背島，相對于常見的厚度為400微米左右的微壓傳感器，本發(fā)明的背島的體積很小，而且背島底面與硅基片的邊框平面距離遠遠大于5－10微米，所以，本發(fā)明的單片硅基微壓傳感器之中的背島不會受到硅基片的厚度限制，從而能夠提高產(chǎn)出率、降低成本；與傳統(tǒng)的E型結(jié)構(gòu)相比，更能夠克服大背島的自重效應，從而提高穩(wěn)定性；此外，還能夠避免出現(xiàn)背島與玻璃鍵合而導致器件失效的問題；另外，還能夠形成厚度一致性好、靈敏度一致性好的彈性硅膜，從而適宜于大規(guī)模生產(chǎn)。