壓力傳感器的硅芯片結(jié)構(gòu)總成

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201320788479.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN203616042U 公開(kāi)（公告）日 2014-05-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN203616042U 申請(qǐng)公布日 2014-05-28
分類(lèi)號(hào) G01L9/06(2006.01)I;G01L19/00(2006.01)I 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 沈紹群;羅小勇 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海旦宇傳感器科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 馮劍明
地址 529100 廣東省江門(mén)市新會(huì)區(qū)會(huì)城西門(mén)路圭峰高科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了壓力傳感器的硅芯片結(jié)構(gòu)總成，包括硅芯片，所述硅芯片上設(shè)置有硅彈性膜區(qū)，在該硅彈性膜區(qū)上設(shè)置有四個(gè)壓敏電阻構(gòu)成惠斯頓電橋，所述硅芯片上連接有金屬基座，所述金屬基座上設(shè)置有容置外部被測(cè)介質(zhì)的通道，硅芯片上對(duì)應(yīng)該通道位置設(shè)置有背腔區(qū)，背腔區(qū)與所述硅彈性膜區(qū)對(duì)應(yīng)，所述硅彈性膜區(qū)為由梁區(qū)和膜區(qū)構(gòu)成的梁膜區(qū)，所述四個(gè)壓敏電阻設(shè)置在所述梁區(qū)上，梁區(qū)厚度為膜區(qū)厚度的二倍以上，使得被測(cè)介質(zhì)作用于膜區(qū)的壓力會(huì)集中到梁區(qū)上，大大的提高了硅彈性膜區(qū)的靈敏度，降低了檢測(cè)誤差，并且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理緊湊、實(shí)施方便、成本低，能夠很好的適應(yīng)行業(yè)發(fā)展的需求。