一種砷化鎵太陽能電池外延結(jié)構(gòu)及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811548022.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111341872A 公開（公告）日 2020-06-26
申請公布號 CN111341872A 申請公布日 2020-06-26
分類號 H01L31/078;H01L31/028;H01L31/0304;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃文洋 申請（專利權(quán)）人 深圳市永盛隆科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孟德棟
地址 518112 廣東省深圳市龍崗區(qū)布吉街道金排社區(qū)東方盛世C棟2單元403
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種砷化鎵太陽能電池外延結(jié)構(gòu)及其生長方法，所述電池包括依次層疊設(shè)置的Ge底電池、GaAs中電池和GaInP頂電池，所述GaAs中電池和所述GaInP頂電池中均包括背層和發(fā)射層；所述GaAs中電池的背層包括delta摻雜的p型GaInP層，發(fā)射層包括delta摻雜的n型GaAs層；所述GaInP頂電池的背層包括delta摻雜的p型GaInP層，發(fā)射層包括delta摻雜的n型GaInP層。本發(fā)明的太陽能電池外延結(jié)構(gòu)，中電池、頂電池的背層及發(fā)射層均有進(jìn)行delta摻雜生長，這種delta摻雜結(jié)構(gòu)能阻斷晶體位錯(cuò)延伸、抑制晶體缺陷蔓延，提高太陽能電池外延結(jié)構(gòu)的可靠性及光電轉(zhuǎn)換效率。