一種5G高頻MPI材料鉆孔方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011090507.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112188740B 公開（公告）日 2021-12-07
申請公布號 CN112188740B 申請公布日 2021-12-07
分類號 H05K3/00（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 趙城;彭偉紅;周丹;田新博 申請（專利權(quán)）人 安捷利（番禺）電子實業(yè)有限公司
代理機構(gòu) 廣州新諾專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 羅毅萍
地址 510000廣東省廣州市南沙區(qū)望江二街4號1201（A2）房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種5G高頻MPI材料鉆孔方法，包括以下步驟：S1、采用激光對MPI壓合工件進行圓形鉆孔；S2、將焦距下移一微距離，焦距下移過程中暫停激光鉆孔；減小所述振鏡掃描速度和增大有效光斑直徑，繼續(xù)采用激光進行圓形鉆孔；S3、將焦距下移一微距離，焦距下移過程中暫停激光鉆孔；調(diào)整所述振鏡掃描速度和有效光斑直徑至預(yù)定值，繼續(xù)采用激光進行圓形鉆孔；S4、將焦距下移一微距離，焦距下移過程中暫停激光鉆孔；調(diào)整振鏡掃描速度和有效光斑直徑，繼續(xù)采用進行圓形鉆孔；S5、重復(fù)步驟S2和S4，直至鉆孔完成。本發(fā)明提供了一種5G高頻MPI材料鉆孔方法，其能夠避免鉆孔時發(fā)生內(nèi)縮，保證孔型良好。