等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清潔方法及晶圓刻蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111186794.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113936989A 公開（公告）日 2022-01-14
申請公布號 CN113936989A 申請公布日 2022-01-14
分類號 H01J37/32（2006.01）I;H01L21/3065（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張賢亮;劉金軍 申請（專利權(quán)）人 合肥頎中科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 段友強(qiáng)
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)鳳里街166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清潔方法及晶圓刻蝕方法，其中，等離子刻蝕設(shè)備反應(yīng)腔的清潔方法包括如下步驟：在反應(yīng)腔內(nèi)的晶圓承載臺上放置鋁板；采用等離子體射頻技術(shù)將充填在反應(yīng)腔內(nèi)的惰性氣體電離成等離子體；等離子體對所述鋁板產(chǎn)生轟擊以形成鋁原子；鋁原子在反應(yīng)腔的內(nèi)壁上附著并形成鋁膜。本發(fā)明通過在反應(yīng)腔內(nèi)電離惰性氣體形成對鋁板轟擊的等離子體以在鋁板上電離出鋁原子，在鋁原子電離后附著沉積在反應(yīng)腔內(nèi)壁上形成鋁膜對反應(yīng)副產(chǎn)物的遮蓋，避免了反應(yīng)副產(chǎn)物對晶圓刻蝕的影響，由此延長了PM周期，提高了設(shè)備利用率及產(chǎn)能，降低了生產(chǎn)成本。