一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122182581.3 申請日 -
公開（公告）號 CN215578538U 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN215578538U 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L23/488（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈麗娟 申請（專利權(quán)）人 合肥頎中科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 崔熠
地址 215024 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)蘇州鳳里街166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，本實用新型的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括表面設(shè)有芯片襯墊的半導(dǎo)體基板、覆蓋在芯片襯墊和半導(dǎo)體基板上并將芯片襯墊部分暴露的保護層、覆蓋在保護層和芯片襯墊上并將芯片襯墊部分暴露的過渡層、覆蓋在過渡層和芯片襯墊表面的凸塊下金屬層以及位于凸塊下金屬層表面的凸塊，過渡層包括凸臺和圍繞凸臺設(shè)置的環(huán)狀外緣，凸臺覆蓋在芯片襯墊表面，環(huán)狀外緣同時覆蓋在保護層和芯片襯墊表面，凸臺的側(cè)壁傾斜設(shè)置且凸臺沿遠離芯片襯墊的方向逐漸收緊。本實用新型提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，能夠減少凸塊頂部凹陷的現(xiàn)象，提高導(dǎo)電能力，改善電性，消除電路斷路問題，提高封裝質(zhì)量。