一種表面增透發(fā)光二極管
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN03138956.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN100463234C | 公開(kāi)(公告)日 | 2009-02-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN100463234C | 申請(qǐng)公布日 | 2009-02-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/00(2006.01) | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 何曉光;黃尊祥 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 廈門(mén)三安電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門(mén)原創(chuàng)專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人 | 廈門(mén)市三安光電科技有限公司 |
| 地址 | 361009福建省廈門(mén)市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種表面增透發(fā)光二極管,其特征是在常規(guī)結(jié)構(gòu)的窗口層上有一層或多層在外延過(guò)程中生長(zhǎng)的表面增透層,經(jīng)過(guò)化學(xué)腐蝕及氧化后形成一層或多層三氧化二鋁表面增透薄膜;在表面增透層的上方可有保護(hù)層,表面增透層選自鋁鎵砷層或砷化鋁層,保護(hù)層選自砷化鎵層或鎵銦磷層,保護(hù)層在工藝之后去除;采用金屬有機(jī)源化學(xué)氣象沉積(MOCVD)方法在發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)時(shí)一次性完成增透膜結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng);這樣形成的有表面增透薄膜的發(fā)光二極管,其光的反射率更小,增透效果更顯著。 |





