一種高質(zhì)量金剛石生長(zhǎng)方法和系統(tǒng)
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911213935.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN110820044B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110820044B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號(hào) | C30B29/04(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 彭國(guó)令;黃翀 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 航天科工(長(zhǎng)沙)新材料研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙楚為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 李大為 |
| 地址 | 410205湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)文軒路27號(hào)麓谷鈺園B8棟7樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種高質(zhì)量金剛石生長(zhǎng)方法和系統(tǒng)。一種高質(zhì)量金剛石生長(zhǎng)方法,包括步驟:S1、對(duì)籽晶表面進(jìn)行預(yù)處理后放入生長(zhǎng)倉(cāng)中,通入氫氣和氧氣對(duì)籽晶進(jìn)行表面刻蝕15?60min;S2、通入碳源生長(zhǎng)金剛石;S3、判斷生長(zhǎng)時(shí)間是否達(dá)到第一時(shí)間,若是,執(zhí)行步驟S4;若否,則執(zhí)行步驟S5;S4、停止通入碳源,通入氧氣刻蝕10?30min,執(zhí)行步驟S2;S5、檢測(cè)金剛石的表面是否出現(xiàn)雜質(zhì),若是,則執(zhí)行雜質(zhì)處理操作,10?30min后執(zhí)行步驟S2;若否,則執(zhí)行步驟S3。本方法能夠無(wú)需選擇高質(zhì)量的金剛石片作為籽晶,降低了籽晶的成本,新生長(zhǎng)的金剛石以層狀進(jìn)行生長(zhǎng),并且金剛石表面缺陷進(jìn)行修補(bǔ),降低表面缺陷數(shù)量,同時(shí)并未降低金剛石的生長(zhǎng)速率,仍然維持在高的生長(zhǎng)速率,不低于8μm/h。 |





