硅鈣鎂晶須的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200410081355.4 申請日 -
公開（公告）號 CN1782147A 公開（公告）日 2006-06-07
申請公布號 CN1782147A 申請公布日 2006-06-07
分類號 C30B29/62(2006.01);C30B7/00(2006.01) 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 孫傳敏;汪建軍;錢忠良;雷斌;尹顯庸 申請（專利權）人 綿陽市仁智奇微新材料有限公司
代理機構 綿陽市蜀北專利有限公司 代理人 綿陽市仁智奇微新材料有限公司;四川仁智新材料科技有限責任公司
地址 621000四川省綿陽市高新區(qū)路南工業(yè)園區(qū)仁智科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶須的生產方法，特別是一種長徑比大、性能穩(wěn)定、生產成本低的晶須材料的制備方法。一種硅鈣鎂晶須的制備方法，其特征在于所述的工藝為：原礦破碎、篩分、濕法分散、提純除雜、化學培育、脫水、干燥。本發(fā)明旨在克服現有技術的不足，提供一種原材料成本低，制造工藝簡單，生產工藝條件容易控制，生產成本低的硅鈣鎂晶須的制備方法。