金屬植入物磁共振成像方法、系統(tǒng)、終端及存儲介質(zhì)
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011209857.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112630709A | 公開(公告)日 | 2021-04-09 |
| 申請公布號 | CN112630709A | 申請公布日 | 2021-04-09 |
| 分類號 | G01R33/28(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I;G01R33/36(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
| 發(fā)明人 | 李行璇 | 申請(專利權(quán))人 | 成都易檢醫(yī)療科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海申新律師事務(wù)所 | 代理人 | 竺路玲 |
| 地址 | 610200四川省成都市中國(四川)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)東升街道航樞大道500號3樓附301號附22號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種金屬植入物磁共振成像方法、系統(tǒng)、終端及存儲介質(zhì),應(yīng)用于超低場磁共振成像裝置,其特征在于,包括:根據(jù)所述金屬植入物的信息獲取安全掃描參數(shù);根據(jù)所述安全掃描信息設(shè)置所述超低場磁共振成像裝置的射頻參數(shù)及成像參數(shù);根據(jù)所述射頻參數(shù)及所述成像參數(shù)進(jìn)行磁共振成像,能夠應(yīng)用超低場的磁共振成像裝置進(jìn)行金屬植入物磁共振成像,獲得的圖像清晰,不會受到金屬植入物高固有磁化率的影響。?? |





