一種氟硅酸鈉生產(chǎn)工藝的冷卻裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201922007185.X | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN211255273U | 公開(公告)日 | 2020-08-14 |
| 申請公布號 | CN211255273U | 申請公布日 | 2020-08-14 |
| 分類號 | C01B33/10(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 鄧杰;張勇;陳超;周發(fā)水 | 申請(專利權(quán))人 | 云南弘祥化工有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 650399云南省昆明市安寧市草鋪鎮(zhèn)昆畹公路38公里 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型涉及氟硅酸鈉生產(chǎn)工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體地說,涉及一種氟硅酸鈉生產(chǎn)工藝的冷卻裝置,包括冷卻箱,冷卻箱箱壁中開設(shè)有水腔層,冷卻箱頂部設(shè)有箱蓋,漏斗的頂部設(shè)有固定板,固定板上安裝有電機,電機的輸出軸同軸連接有螺旋體,冷卻箱外壁上靠近頂部的位置嵌設(shè)有與水腔層連通的進水口,冷卻箱底部嵌設(shè)有與水腔層連通的出水管,螺旋體下方設(shè)有兩個導熱裝置,導熱裝置包括導熱板,導熱板延伸在冷卻箱外界的一端上開設(shè)有插槽,插槽中安裝有半導體制冷片;該氟硅酸鈉生產(chǎn)工藝的冷卻裝置在冷卻箱的箱壁中設(shè)置水腔層對箱體進行降溫處理,兩個導熱裝置,配設(shè)有半導體制冷片,方便進行制冷,在最上方的導熱裝置上方設(shè)有螺旋體,防止漏斗處堵塞。?? |





