太陽能硅片線痕高精度檢測(cè)系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210073886.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103323466A 公開（公告）日 2013-09-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN103323466A 申請(qǐng)公布日 2013-09-25
分類號(hào) G01N21/956(2006.01)I;G01B11/02(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 陳利平;惠施;裴世鈾;李波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆山四方專利事務(wù)所 代理人 蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司
地址 215311 江蘇省蘇州市昆山市巴城鎮(zhèn)臨港工業(yè)園瑞安路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種太陽能硅片線痕高精度檢測(cè)系統(tǒng)，硅片傳送機(jī)構(gòu)帶動(dòng)硅片運(yùn)動(dòng)，激光三角位移傳感器將探測(cè)光斑投射到硅片表面來對(duì)其表面高度信息進(jìn)行測(cè)量，硅片位置感應(yīng)裝置能夠感應(yīng)硅片位于激光三角位移傳感器檢測(cè)位置并傳信于數(shù)據(jù)采集卡，數(shù)據(jù)采集卡采集激光三角位移傳感器傳輸?shù)臏y(cè)量信息并輸出數(shù)據(jù)給處理器，激光三角位移傳感器的探測(cè)光斑為長軸方向與硅片線痕方向平行且短軸方向與硅片運(yùn)動(dòng)方向一致的橢圓光斑，本發(fā)明極大地降低了硅片表面的粗糙度對(duì)測(cè)量線痕的干擾，使得測(cè)量只對(duì)線痕敏感，有效地提高了線痕測(cè)量的精度和準(zhǔn)確度，實(shí)現(xiàn)了硅片線痕測(cè)量的高速檢測(cè)。