太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210110124.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103376255A 公開（公告）日 2013-10-30
申請公布號 CN103376255A 申請公布日 2013-10-30
分類號 G01N21/88(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 楊廣;趙潤川;權(quán)炳浩;廖國偉;丁正雍;陳利平;李波 申請（專利權(quán)）人 蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 昆山四方專利事務(wù)所 代理人 蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司
地址 215311 江蘇省蘇州市昆山市巴城鎮(zhèn)臨港工業(yè)園瑞安路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種太陽能多晶硅電池片表面缺陷與沾污檢測設(shè)備，照明室固定于機(jī)架上，照明室內(nèi)設(shè)有光源，照明室的內(nèi)壁上設(shè)有一層漫反射材料制成的涂層，傳送機(jī)構(gòu)能夠傳送待檢測產(chǎn)品到照明室內(nèi)光源形成的均勻光照區(qū)域，照明室上方的頂壁設(shè)有與待檢測產(chǎn)品位置正對的通光孔，所述成像裝置位于通光孔正上方的機(jī)架上，成像裝置能夠?qū)D片信息傳信給處理器，本發(fā)明通過照明室將光源的光線漫反射，使得投射在太陽能多晶硅電池片上的光斑亮度均勻性和角度均勻性非常高，進(jìn)而消除了晶粒噪聲干擾，提高了太陽能多晶硅電池片表面檢測精度。