一種氮化鎵外延底層超晶格的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011547206.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112670164A 公開（公告）日 2021-04-16
申請公布號 CN112670164A 申請公布日 2021-04-16
分類號 H01L21/02;C30B29/40;C30B25/02;C30B23/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡清富;胡智威;蔡長祐;陳威佑 申請（專利權(quán)）人 南京百識電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 方亞曼
地址 211805 江蘇省南京市浦口區(qū)橋林街道百合路121號紫峰研創(chuàng)中心二期四棟205室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鎵外延底層超晶格的生長方法，包括提供Si(III)生長基板；在所述生長基板表面形成AlN成核層；在所述成核層上形成AlxGaN/GaNtransitionlayer緩沖層；其中x＝0％?100％；在所述緩沖層上形成AlxGaN/GaNmulti?SLsbufferlayer超晶格層，其中x＝0％?100％；多次重復(fù)所述形成超晶格層的步驟，最后在所述超晶格層表面形成氮化鎵層。本發(fā)明提出的超晶格生長方法，有效控制翹曲，進(jìn)而提升氮化鎵品質(zhì)，降低缺陷，增加產(chǎn)品良率，提升產(chǎn)品價值；在生長方法中，加入不同鋁含量的生長方式，更進(jìn)一步有效改善翹曲，增加產(chǎn)品良率。