異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810628897.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108807530A | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-11-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108807530A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-11-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/285 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉新科;王磊;敖金平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 山西鎵能半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 深圳大學(xué) |
| 地址 | 518060 廣東省深圳市南山區(qū)南海大道3688號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。該制備方法，包括如下步驟：提供襯底；在所述襯底上制備AlGaN/GaN異質(zhì)外延層；在所述AlGaN/GaN異質(zhì)外延層上制備源電極和漏電極；利用磁控濺射法在所述AlGaN/GaN異質(zhì)外延層上沉積p型氧化物，制得p型氧化物柵極。該制備方法工藝簡(jiǎn)單，既可以避免p型氧化物被污染，又可以實(shí)現(xiàn)制備較高濃度的p型氧化物柵極，而且還能保證對(duì)GaN基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管閾值電壓的正向調(diào)控能力，最終該異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的器件功率得到顯著提高。 |
