單片G波段三倍頻器
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110126183.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN112838830A | 公開(公告)日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112838830A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | H03B19/14 | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 王亞冰;胡志富;何美林;何銳聰;劉亞男;彭志農(nóng);徐敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 河北雄安太芯電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 河北冀華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王占華 |
| 地址 | 071000 河北省保定市容城縣容城鎮(zhèn)影院路1號(hào)B區(qū)201室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種單片G波段三倍頻器,涉及太赫茲器件技術(shù)領(lǐng)域。所述倍頻器包括GaAs襯底,所述GaAs襯底上形成有輸入壓點(diǎn),所述輸入壓點(diǎn)一端與第一傳輸微帶線的一端連接,所述第一傳輸微帶線的另一端經(jīng)低通濾波器與第二傳輸微帶線的一端連接,所述第二傳輸微帶線的另一端經(jīng)輸入微帶線匹配結(jié)構(gòu)與GaAs基高截止頻率肖特基二極管對(duì)的一端連接,所述GaAs基高截止頻率肖特基二極管對(duì)的一端連接經(jīng)并聯(lián)接地結(jié)構(gòu)與輸出微帶線匹配結(jié)構(gòu)的一端連接,所述輸出微帶線匹配結(jié)構(gòu)的另一端經(jīng)輸出帶通濾波器與射頻輸出壓點(diǎn)連接。所述倍頻器頻帶寬,具有更高的一致性和成品率。 |





