集成射頻測試壓點的太赫茲單片電路結構及其設計方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110500062.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113241309A 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN113241309A 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L21/66（2006.01）I;B07C5/344（2006.01）I;G06F30/367（2020.01）I;G06F30/392（2020.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 柳林;胡志富;何美林;何銳聰;劉亞男;彭志農(nóng);徐敏 申請（專利權）人 河北雄安太芯電子科技有限公司
代理機構 河北冀華知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 王占華
地址 071000河北省保定市容城縣容城鎮(zhèn)影院路1號B區(qū)201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成射頻測試壓點的太赫茲單片電路結構及其制備方法，所述電路結構包括襯底，所述襯底包括太赫茲單片電路襯底以及在片探針結構襯底，所述太赫茲單片電路襯底的上表面形成有太赫茲單片電路，所述太赫茲單片電路的輸入端以及輸出端的微帶線分別經(jīng)一個中間射頻測試壓點后與在片探針結構連接，所述中間射頻測試壓點的兩側分別形成有一個側面射頻測試壓點，所述側面射頻測試壓點通過金屬化過孔與襯底背面的金屬層連接，所述在片探針結構上分別連接有輸入波導接口以及輸出波導接口。本申請所述太赫茲單片電路結構將射頻測試壓點設計到單片電路結構上，可以對單片進行在片篩選，在第一時間鑒別芯片的好壞和一致性，從而提高了生產(chǎn)效率。