反射結構及GaN基薄膜型結構LED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120117254.7 申請日 -
公開（公告）號 CN214313231U 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN214313231U 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L33/46（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 封波;彭翔;金力 申請（專利權）人 晶能光電股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 330096江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種反射結構及GaN基薄膜型結構LED芯片，其中，反射結構中包括：金屬反射層及設置于金屬反射層表面由介電材料形成的介電反射層，介電反射層中包括填充有導電材料的第一通孔，且介電反射層中介電材料與導電材料的接觸面之間、介電材料與金屬反射層的接觸面之間及介電反射層上表面均設置有透明導電層。解決介電材料接觸區(qū)域電流無法流經(jīng)的問題，使得制備得到的LED芯片中電流擴散更均勻，且具有更高的光提取效率。