光刻方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810994609.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110865520B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN110865520B 申請公布日 2022-03-18
分類號 G03F9/00（2006.01）I 分類 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術〔4〕;
發(fā)明人 黃濤 申請（專利權）人 晶能光電股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 330096江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種光刻方法，包括：提供半導體晶圓，在所述半導體晶圓上形成光刻膠層；基于光刻板表面的對位標記將半導體晶圓與光刻板對齊，所述光刻板中還包括一用于隔離圖形區(qū)域和非圖形區(qū)域的標記位；對半導體晶圓表面的光刻膠層進行曝光和顯影，以圖形化所述光刻膠層。在光刻的過程中，通過該標記位將處于晶圓邊緣的非圖形區(qū)域中的光刻膠與圖形區(qū)域隔離，保證晶圓最外圈圖形的一致性，提升產(chǎn)品良率。