一種高精度的半導(dǎo)體芯片修調(diào)測(cè)試方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210000452.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114002588A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114002588A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-01 |
| 分類號(hào) | G01R31/28（2006.01）I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州貝克微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張琳琳 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)科技城科靈路78號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)是關(guān)于一種高精度的半導(dǎo)體芯片修調(diào)測(cè)試方法，具體涉及集成電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：獲取基準(zhǔn)修調(diào)值；獲取第一目標(biāo)更新值與基準(zhǔn)修調(diào)值的第一比值，并將第一比值轉(zhuǎn)換為第一二進(jìn)制數(shù)；向目標(biāo)半導(dǎo)體芯片發(fā)送第一導(dǎo)通信號(hào)，以熔斷第一二進(jìn)制數(shù)不為零的最高位的熔絲，并測(cè)量目標(biāo)半導(dǎo)體芯片的參數(shù)的第一實(shí)際更新值；根據(jù)第一實(shí)際更新值以及第一二進(jìn)制數(shù)的不為零的最高位所對(duì)應(yīng)的數(shù)值，獲取第一修調(diào)值以控制熔絲熔斷。上述方案中，根據(jù)修正后的第一修調(diào)值進(jìn)行計(jì)算后續(xù)需要熔斷的熔絲，從而盡可能避免了由于半導(dǎo)體芯片的基準(zhǔn)修調(diào)值誤差對(duì)修調(diào)造成的影響，提高了半導(dǎo)體芯片的修調(diào)精度。 |
