半導體器件制備臺面緩坡的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210596278.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103065941A 公開（公告）日 2013-04-24
申請公布號 CN103065941A 申請公布日 2013-04-24
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 塞萬·拉方波羅塞;黃寓洋 申請（專利權）人 無錫沃浦光電傳感科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 214122 江蘇省無錫市濱湖區(qū)錦溪路100號9號樓10樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體器件制備臺面緩坡的方法，包括如下步驟：(1)對晶圓或芯片進行光刻，將待刻蝕的臺面圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠上；(2)光刻膠回流，在光刻膠邊緣形成緩坡；(3)用干法刻蝕，將緩坡形狀轉(zhuǎn)移至晶圓或芯片上；(4)去除光刻膠，在晶圓或芯片上形成需要的臺面緩坡結構。本發(fā)明可以解決目前通用的使用濕法刻蝕方法帶來的側蝕嚴重，不易控制的問題，實現(xiàn)對臺面緩坡的角度、刻蝕深度的良好控制，從而有效提高半導體器件的性能和成品率。