半橋電路性能測試系統(tǒng)及方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110631861.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113295989A | 公開（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申請公布號(hào) | CN113295989A | 申請公布日 | 2021-08-24 |
| 分類號(hào) | G01R31/3163（2006.01）I | 分類 | 測量；測試; |
| 發(fā)明人 | 李祥;周建宇;黃少海;黨代表 | 申請（專利權(quán)）人 | 蘇州市運(yùn)泰利自動(dòng)化設(shè)備有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王忠浩 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市太湖國家旅游度假區(qū)光福鎮(zhèn)福利村102號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半橋電路性能測試系統(tǒng)，包括用于接入信號(hào)的信號(hào)輸入單元、繼電器矩陣單元、用于測試半橋電路輸出波形峰值的峰值測試單元、頻率測試單元、功率電阻切換單元、網(wǎng)口通信單元、用于建立并聯(lián)電路的功率電阻、控制端，繼電器矩陣單元分別與信號(hào)輸入單元、峰值測試單元、頻率測試單元、功率電阻切換單元、網(wǎng)口通信單元連接，功率電阻切換單元根據(jù)半橋電路上MOS管或下MOS管的電阻的導(dǎo)通狀態(tài)，控制功率電阻與上MOS管或下MOS管并聯(lián)。在半橋電路工作時(shí)，根據(jù)半橋電路上MOS管或下MOS管的電阻的導(dǎo)通狀態(tài)，采用功率電阻、峰值測試單元、頻率測試單元的協(xié)調(diào)運(yùn)作進(jìn)行MOS管的導(dǎo)通電阻的測量，提高了測試效率，解決了工作時(shí)無法測量MOS管的問題。 |
