一種CMOS功率放大器及其射頻模塊
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010464778.3 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111711424A | 公開(公告)日 | 2020-09-25 |
| 申請公布號 | CN111711424A | 申請公布日 | 2020-09-25 |
| 分類號 | H03F3/20(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 梁緒亮;汪洋 | 申請(專利權(quán))人 | 上海萍生微電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海萍生微電子科技有限公司 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)盛夏路570號809室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種CMOS功率放大器,包括輸入巴倫,接收射頻輸入信號并生成第一路輸入信號和第二路輸入信號;功率放大電路,分別對第一路輸入信號進行功率放大生成第一路輸出信號,以及對第二路輸入信號進行功率放大生成第二路輸出信號;以及功率合成器,連接功率放大電路,基于第一路輸出信號和第二路輸出信號生成射頻輸出信號,功率放大電路包括功率放大單元和偏置單元,偏置單元向功率放大單元的輸出端提供偏置電流以消除功率放大時產(chǎn)生的次諧波分量。本申請采用功率合成技術(shù),大幅度提升了CMOS功率放大器的輸出功率。并且在功率放大電路中設置生成偏置電流的偏置單元,大大提升了CMOS功率放大器的線性度。?? |





