半導(dǎo)體裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201780039689.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109417086B 公開（公告）日 2021-08-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN109417086B 申請(qǐng)公布日 2021-08-31
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/872 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尾崎大輔;河野涼一 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 富士電機(jī)株式會(huì)社
代理機(jī)構(gòu) 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張欣;金玉蘭
地址 日本神奈川縣川崎市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供具備有源部和終端結(jié)構(gòu)部的半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置具備：設(shè)置于半導(dǎo)體基板的有源部以及設(shè)置于半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)鹊慕K端且緩和終端的電場(chǎng)的終端結(jié)構(gòu)部。在施加額定電壓時(shí)，對(duì)于終端結(jié)構(gòu)部的正面?zhèn)鹊碾妶?chǎng)分布而言，有源部側(cè)的端部的電場(chǎng)可以比正面?zhèn)鹊碾妶?chǎng)分布的最大值小。另外，終端結(jié)構(gòu)部的電場(chǎng)分布在比終端結(jié)構(gòu)部的中心靠近與有源部相反的邊緣側(cè)的位置可以具有電場(chǎng)的最大峰。