半導(dǎo)體裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201780020128.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109075199B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN109075199B 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L29/78;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 內(nèi)藤達(dá)也 申請（專利權(quán)）人 富士電機(jī)株式會(huì)社
代理機(jī)構(gòu) 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張欣;金玉蘭
地址 日本神奈川縣川崎市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 如果將具有為發(fā)射極電位的導(dǎo)電部的虛設(shè)溝槽部相對于柵極溝槽部的比率提高，則集電極?柵極間電容(以下稱為CCG)減小，集電極?發(fā)射極間電容(以下稱為CCE)增加。由此，容易產(chǎn)生振蕩現(xiàn)象。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板；第二導(dǎo)電型的基區(qū)，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板內(nèi)的表面?zhèn)?；柵極溝槽部，其以從半導(dǎo)體基板的表面起貫穿基區(qū)的方式設(shè)置在半導(dǎo)體基板內(nèi)，且具有柵極導(dǎo)電部；以及虛設(shè)溝槽部，其以從半導(dǎo)體基板的表面起貫穿基區(qū)的方式設(shè)置在半導(dǎo)體基板內(nèi)，且包括上部虛設(shè)導(dǎo)電部和下部柵極導(dǎo)電部，所述上部虛設(shè)導(dǎo)電部具有發(fā)射極電位，所述下部柵極導(dǎo)電部位于上部虛設(shè)導(dǎo)電部之下且具有柵極電位，虛設(shè)溝槽部的下部柵極導(dǎo)電部與柵極溝槽部的柵極導(dǎo)電部連接。