半導(dǎo)體裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201880002921.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109478570B 公開（公告）日 2021-08-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN109478570B 申請(qǐng)公布日 2021-08-31
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L21/336;H01L29/739 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吉田崇一;宮田大嗣 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 富士電機(jī)株式會(huì)社
代理機(jī)構(gòu) 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 金玉蘭;王穎
地址 日本神奈川縣川崎市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 由于掩模下垂或掩模圖案的錯(cuò)位，存在在半導(dǎo)體基板的表面露出的P型區(qū)域變?yōu)镹型區(qū)域的情況。本發(fā)明提供具有半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體基板包含晶體管區(qū)，晶體管區(qū)具備漂移區(qū)、多個(gè)溝槽部、多個(gè)發(fā)射區(qū)和多個(gè)接觸區(qū)、以及積累區(qū)，該積累區(qū)在深度方向上設(shè)置于漂移區(qū)與多個(gè)發(fā)射區(qū)之間并具有比漂移區(qū)高的第一導(dǎo)電型的摻雜濃度，多個(gè)接觸區(qū)中的在與第一方向平行的方向上位于最外側(cè)的第一最外接觸區(qū)在第一方向上的長(zhǎng)度比多個(gè)接觸區(qū)中的除第一最外接觸區(qū)以外的一個(gè)接觸區(qū)長(zhǎng)，積累區(qū)在第一最外接觸區(qū)的下方終止。