半導(dǎo)體裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201780027139.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109075202B 公開（公告）日 2021-08-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN109075202B 申請(qǐng)公布日 2021-08-31
分類號(hào) H01L29/78;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 內(nèi)藤達(dá)也 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 富士電機(jī)株式會(huì)社
代理機(jī)構(gòu) 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 包躍華;金玉蘭
地址 日本神奈川縣川崎市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 在IGBT的低電流導(dǎo)通時(shí)在IGBT的柵極流通的位移電流越大，則IGBT的導(dǎo)通時(shí)間變得越短。導(dǎo)通時(shí)間越短，則在具有IGBT的半導(dǎo)體裝置中dV/dt變得越大，電磁噪聲變得越大。提供一種半導(dǎo)體裝置，具備半導(dǎo)體基板、發(fā)射極區(qū)、基區(qū)和多個(gè)蓄積區(qū)，多個(gè)蓄積區(qū)中的上方蓄積區(qū)在與延伸方向和深度方向正交的排列方向上與柵極溝槽部和虛設(shè)溝槽部直接接觸，多個(gè)蓄積區(qū)中的距離半導(dǎo)體基板的上表面最遠(yuǎn)的下方蓄積區(qū)具有：柵極附近區(qū)域，其在排列方向上與虛設(shè)溝槽部相比距離柵極溝槽部更近；以及虛設(shè)附近區(qū)域，其在排列方向上與柵極溝槽部相比距離虛設(shè)溝槽部更近，且具有比柵極附近區(qū)域低的第一導(dǎo)電型的摻雜濃度。