半導(dǎo)體裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610601007.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106548988B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN106548988B 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01L23/13;H01L23/367;H01L23/373;H05K3/20;H05K7/20;H05K1/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 齋藤隆;百瀨文彥;西村芳孝;望月英司 申請（專利權(quán)）人 富士電機(jī)株式會社
代理機(jī)構(gòu) 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 張鑫
地址 日本神奈川縣
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明能抑制半導(dǎo)體裝置的散熱性下降。在半導(dǎo)體裝置(100)中，在散熱基底(140)的背面形成有多個(gè)凹陷，凹陷構(gòu)成為多個(gè)重疊。散熱基底(140)的背面的多個(gè)凹陷通過對散熱基底(140)的背面進(jìn)行噴丸處理而形成。作為此時(shí)的噴丸處理的處理?xiàng)l件，在噴丸材料為SUS304、處理時(shí)間為20秒、超聲波振幅為70μm時(shí)，優(yōu)選將噴丸材料的平均粒徑設(shè)為0.3mm～6mm。若在進(jìn)行了基于上述處理?xiàng)l件的噴丸處理的散熱基底(140)的背面隔著導(dǎo)熱膏(160)設(shè)置散熱片(170)，則散熱基底(140)的重疊的多個(gè)凹陷相對于導(dǎo)熱膏(160)的密接性因固著效果而得到提高。