半導(dǎo)體裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201880002603.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN109417093B | 公開（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申請公布號 | CN109417093B | 申請公布日 | 2021-08-31 |
| 分類號 | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 阿形泰典;吉村尚;瀧下博 | 申請（專利權(quán)）人 | 富士電機(jī)株式會(huì)社 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 金玉蘭;王穎 |
| 地址 | 日本神奈川縣川崎市 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供具有緩沖區(qū)的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置具備：第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板；第一導(dǎo)電型的漂移層，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板；以及緩沖區(qū)，其設(shè)置于漂移層，具有多個(gè)第一導(dǎo)電型的摻雜濃度的峰，緩沖區(qū)具有：第一峰，其具有預(yù)先確定的摻雜濃度，且在多個(gè)峰中設(shè)置于最靠近半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)鹊奈恢茫灰约案邼舛确?，其具有比第一峰的摻雜濃度高的摻雜濃度，設(shè)置于比第一峰靠半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)鹊奈恢谩?/td> |
