一種集成芯片及其制作方法和集成電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110995384.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113782529A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113782529A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L27/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樊永輝;許明偉;樊曉兵 申請（專利權(quán)）人 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 深圳市博衍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 曾新浩
地址 518000廣東省深圳市華富街道蓮花一村社區(qū)皇崗路5001號深業(yè)上城（南區(qū)）T2棟2701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N集成芯片及其制作方法和集成電路。集成芯片包括：硅襯底、基于硅半導體的開關控制電路、砷化鎵外延結(jié)構(gòu)和基于砷化鎵的開關電路；所述硅襯底被劃分為硅器件區(qū)域和砷化鎵器件區(qū)域；基于硅半導體的開關控制電路設置在硅襯底上，對應設置在所述硅器件區(qū)域；砷化鎵外延結(jié)構(gòu)設置在硅襯底上，對應所述砷化鎵器件區(qū)域；以及基于砷化鎵的開關電路設置在砷化鎵外延結(jié)構(gòu)上；所述基于硅半導體的開關控制電路與所述基于砷化鎵的開關電路通過金屬互聯(lián)；所述基于砷化鎵的開關電路包括砷化鎵高電子遷移率晶體管，可以將基于硅半導體的開關控制電路和基于砷化鎵的開關電路集成到一個芯片上，實現(xiàn)更高的集成度、更小的器件面積、更低的制作成本以及更好的性能。