一種激光直接成像設備正反面成像對位誤差的檢測方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201910100091.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN109597283B | 公開(公告)日 | 2021-08-13 |
| 申請公布號 | CN109597283B | 申請公布日 | 2021-08-13 |
| 分類號 | G03F7/20;G03F9/00;G01B11/03 | 分類 | 攝影術;電影術;利用了光波以外其他波的類似技術;電記錄術;全息攝影術〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 尤勇;嚴孝年;楊坤倫 | 申請(專利權)人 | 合肥芯碁微電子裝備股份有限公司 |
| 代理機構 | 合肥天明專利事務所(普通合伙) | 代理人 | 苗娟;奚華保 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道2800號創(chuàng)新產業(yè)園二期F3樓11層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明的一種激光直接成像設備正反面成像對位誤差的檢測方法,可解決現有的檢測方法效率低下而且檢測精度低的技術問題。包括S10、向產品的A面圖形邊緣添加對位檢測標記MARK?A;S20、向產品的B面圖形邊緣添加對位檢測標記MARK?B,MARK?A與MARK?B中心對齊;S30、向產品基板的對稱兩板邊固定兩條與基板等厚度的透明材質;S40、安裝并調試基板;S50、對基板A面進行曝光成像;S60、對基板進行左右翻版;S70、對基板B面進行曝光成像;S80、CCD圖像處理系統抓取MARK?A中心坐標;S90、CCD圖像處理系統抓取MARK?B中心坐標;S100、計算MARK?A與MARK?B中心坐標誤差值。本發(fā)明省去了化學顯影化學蝕刻化學退膜和X?Ray照射、顯微鏡測量等步驟,提高了檢測效率和準確性。 |





