一種阻變式存儲陣列及存儲器
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202111017816.1 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113470713A | 公開(公告)日 | 2021-10-01 |
| 申請公布號 | CN113470713A | 申請公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號 | G11C13/00(2006.01)I | 分類 | 信息存儲; |
| 發(fā)明人 | 許天輝 | 申請(專利權(quán))人 | 北京新憶科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張夢瑤 |
| 地址 | 100083北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路18號A1608 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請?zhí)岢鲆环N阻變式存儲陣列及存儲器,涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域。其中,該存儲陣列包括p×q個(gè)存儲單元、第一位線選擇電路和n個(gè)全局位線,所述第一位線選擇電路包括q個(gè)選擇開關(guān)組,每個(gè)所述選擇開關(guān)組包括n個(gè)選擇開關(guān);所述存儲單元包括晶體管和n個(gè)可變電阻,其中,n為大于1的正整數(shù);其中,所述晶體管的柵極與字線連接,源極與源線連接,漏極分別與n個(gè)所述可變電阻的第一端連接,位于同一列的每個(gè)所述存儲單元的第i個(gè)可變電阻的第二端均連接至第i位線,第j列的第i位線分別與第j個(gè)選擇開關(guān)組的第i個(gè)選擇開關(guān)連接。本申請通過在存儲陣列中設(shè)置第一位線選擇開關(guān),避免了存儲器在讀寫操作時(shí)未選中存儲單元對選中存儲單元的干擾。 |





