非揮發(fā)性存儲內(nèi)存及其存儲單元

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910630706.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110415747B 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN110415747B 申請公布日 2021-06-18
分類號 G11C11/412;G11C11/417;G11C13/00 分類 信息存儲;
發(fā)明人 吳瑞仁;王坤 申請（專利權(quán)）人 北京新憶科技有限公司
代理機構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張潤
地址 100084 北京市海淀區(qū)中關(guān)村智造大街D棟315
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種非揮發(fā)性存儲內(nèi)存及其存儲單元，存儲單元包括：鎖存電路，其具有第一儲存節(jié)點和第二儲存節(jié)點；互補式位源線對，其包括第一位源線和第二位源線；字符線；第一傳輸模塊，第一端與第一位源線相連，第二端與第一儲存節(jié)點相連，控制端與字符線相連；第二傳輸模塊，第一端與第二位源線相連，第二端與第二儲存節(jié)點相連，控制端與字符線相連；儲存字符線；儲存模塊，第一存儲單元包括電阻和第一晶體管，第一晶體管串聯(lián)于第一傳輸模塊的第二端與第一儲存節(jié)點之間，第一晶體管的控制端與儲存字符線相連，電阻與第一晶體管并聯(lián)連接，第一晶體管的控制端在儲存字符線的控制下開啟或關(guān)斷，由此，可以有效降低存儲消耗的能量，實現(xiàn)低功耗。