鍍膜設備及其鍍膜控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110071547.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112899630A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112899630A 申請公布日 2021-06-04
分類號 C23C14/35;C23C14/54;C23C14/46 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉偉基;冀鳴;趙剛;易洪波 申請（專利權）人 中山市博頓光電科技有限公司
代理機構 廣州市律帆知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 王園園
地址 528000 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)信息大道南33號力合科技產(chǎn)業(yè)中心加速器項目69棟第三層301單元（住所申報）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種鍍膜設備及其鍍膜控制方法，所述鍍膜設備，包括：至少一個霍爾離子源以及磁控濺射陰極；其中，磁控濺射陰極與霍爾離子源相鄰布置且發(fā)射口位置平行；在工作時，磁控濺射陰極的靶材產(chǎn)生材料粒子和電子，電子運動至霍爾離子源，霍爾離子源的陽極利用電子激活工作氣體，產(chǎn)生離子源離子；利用磁控濺射陰極產(chǎn)生的材料粒子與霍爾離子源產(chǎn)生的離子源離子對基片進行鍍膜；該技術方案，既充分利用了多余的電子，簡化了霍爾離子源的結構，同時通過引入霍爾離子源的離子磁控濺射陰極的鍍膜提供了更好的協(xié)助，特別是應用在加工氧化物的時候，產(chǎn)生比等離子能量更大的離子，加強了氧化效果，提升了鍍膜效果。