一種SRAM讀寫(xiě)控制方法及行緩沖控制器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111207496.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113641626B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113641626B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | G06F15/78（2006.01）I | 分類(lèi) | 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù); |
| 發(fā)明人 | 譚章熹;梁松海;崔魯平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 睿思芯科（深圳）技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳君信誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉偉 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路35號(hào)前海深港青年夢(mèng)工場(chǎng)1棟1層105室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明適用于SOC技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種SRAM讀寫(xiě)控制方法及行緩沖控制器，所述方法包括：在策略寄存器中設(shè)定訪問(wèn)域和讀寫(xiě)策略；通過(guò)分配器監(jiān)控來(lái)自存儲(chǔ)訪問(wèn)控制器的SRAM讀寫(xiě)地址，并根據(jù)所述SRAM讀寫(xiě)地址發(fā)出數(shù)據(jù)讀寫(xiě)指令；通過(guò)行緩沖寄存器組根據(jù)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)指令調(diào)整行替換策略，并根據(jù)行替換策略進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀出或/和寫(xiě)入操作。本發(fā)明通過(guò)一種新的行緩沖控制器降低了SRAM讀寫(xiě)過(guò)程中產(chǎn)生的動(dòng)態(tài)功耗。 |
