一種低壓低電容單向ESD保護(hù)器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020649583.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212342626U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212342626U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/02;H01L21/8222 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋文龍;楊玨琳;張鵬;李澤宏;許志峰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都吉萊芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 盧海洋 |
| 地址 | 610000 四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)世紀(jì)城南路599號(hào)6棟5層505號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種低壓低電容單向ESD保護(hù)器件，包括P型單晶材料、隔離介質(zhì)層、正面金屬區(qū)、背面金屬區(qū)；P型單晶材料兩側(cè)設(shè)有N型隔離區(qū)，P型單晶材料的上方設(shè)有P型調(diào)整區(qū)和N型擴(kuò)散區(qū)，P型單晶材料的下方設(shè)有P型調(diào)整區(qū)。本實(shí)用新型可以實(shí)現(xiàn)單顆芯片完成低壓低電容的單向ESD保護(hù)，封裝難度低，可靠性高。本實(shí)用新型既包括穿通型三極管又包括降容二極管。本實(shí)用新型的穿通型三極管將縱向擊穿調(diào)整為橫向擊穿，同時(shí)引入P型調(diào)整區(qū)，可以在低電壓的條件下，獲得更低的漏電流。本實(shí)用新型的降容二極管可以通過(guò)調(diào)整P型單晶材料的電阻率可以獲得需求的電容值。本實(shí)用新型以P型單晶為材料，不同于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的外延材料，從而具有制造成本低的優(yōu)點(diǎn)。 |
