摻Bi鹵化物激光晶體及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910151679.3 申請日 -
公開（公告）號 CN101643934B 公開（公告）日 2012-10-31
申請公布號 CN101643934B 申請公布日 2012-10-31
分類號 H01S3/16(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐軍;蘇良碧;李紅軍;周朋;喻軍 申請（專利權(quán)）人 中山昂騰光電科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所 代理人 許亦琳;余明偉
地址 200050 上海市長寧區(qū)定西路1295號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種摻Bi鹵化物激光晶體及其制備方法，屬于激光晶體領(lǐng)域。本發(fā)明的摻Bi鹵化物激光晶體為堿金屬或堿土金屬鹵化物晶體，Bi離子摻雜濃度Bi％的取值范圍為：0.01at％≤Bi％5.0at％。本發(fā)明的晶體采用熔體法生長，生長氣氛采用惰性或弱還原性氣體，可以是氮氣、氬氣、或者是它們按一定比例與H2混合形成的混合氣體。本發(fā)明的摻Bi鹵化物激光晶體可應(yīng)用于波長可調(diào)諧或超短脈沖激光器。