摻碳釔鋁石榴石晶體及其兩步法制備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910054969.6 申請日 -
公開（公告）號 CN101603205B 公開（公告）日 2012-05-30
申請公布號 CN101603205B 申請公布日 2012-05-30
分類號 C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李紅軍;楊新波;徐軍;蘇良碧 申請（專利權）人 中山昂騰光電科技有限公司
代理機構 上海光華專利事務所 代理人 許亦琳;余明偉
地址 200050 上海市長寧區(qū)定西路1295號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及激光晶體技術領域，公開了一種摻碳釔鋁石榴石晶體及其兩步法制備。本發(fā)明的摻碳釔鋁石榴石晶體是在釔鋁石榴石晶體中摻入碳元素。本發(fā)明還公開了該晶體的制備方法，包括如下步驟：將純YAG晶體加工成YAG晶片，然后采用高純碳作為蒸發(fā)源對純YAG晶片進行擴散滲碳處理，制得摻碳釔鋁石榴石晶體。本發(fā)明采用高純碳作為蒸發(fā)源對純YAG晶片進行擴散滲碳制備，能夠避免制備過程中碳的揮發(fā)，該制備方法具有簡單高效的特點。本發(fā)明中的摻C的YAG晶體具有很高的熱釋光和光釋光靈敏度，在熱釋光或光釋光劑量學領域有潛在應用價值。